Транзистор STY60NM50

Артикул Маркета

4593735835

Все характеристики

Пэй

2 249 ₽

–49%

–200 ₽

С доставкой по клику

Заказ от 1500₽

Транзистор STY60NM50

Задать вопрос

Пэй

2 249 ₽

–49%

Доставка Маркета

7 окт, по клику 0 ₽

Москва

7 окт, пункт выдачи 0 ₽

Москва

Быстрый возврат

О возвратах

Компоненты и Микросхемы

Магазин

4.8 1.3K оценок

30Kзаказов

134подписчика

4года на Маркете

Все 2 предложения

от 1 144 рублей

О товаре

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Стиль Корпуса ТранзистораMAX-247
Рассеиваемая Мощность560Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Напряжение Истока-стока Vds500в
Непрерывный Ток Стока60А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.05Ом
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs4В
Transistor MountingThrough Hole
EU RoHSCompliant with Exemption
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.29.00.95
Product CategoryPower MOSFET
Process TechnologyMDmesh
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage (V)500
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Maximum Continuous Drain Current (A)60
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)50 10V
Typical Gate Charge Vgs (nC)190 10V
Typical Gate Charge 10V (nC)190
Typical Input Capacitance Vds (pF)7500 25V
Maximum Power Dissipation (mW)560000
Typical Fall Time (ns)46
Typical Rise Time (ns)58
Typical Turn-On Delay Time (ns)51
Minimum Operating Temperature (C)-65
Maximum Operating Temperature (C)150
PackagingTube
AutomotiveNo
Pin Count3
Supplier PackageMax247
MilitaryNo
MountingThrough Hole
Package Height20.3(Max)
Package Length15.9(Max)
Package Width5.3(Max)
PCB changed3
TabTab
Id - непрерывный ток утечки60 A
Pd - рассеивание мощности560 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Вид монтажаThrough Hole
Время нарастания58 ns
Время спада46 ns
Высота20.3 mm
Длина15.9 mm
Канальный режимEnhancement
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Коммерческое обозначениеMDmesh
КонфигурацияSingle
Минимальная рабочая температура65 C
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки150
СерияSTY60NM50
ТехнологияSi
ТипMOSFET
Тип продуктаMOSFET
Тип транзистора1 N-Channel
Типичное время задержки при включении51 ns
Торговая маркаSTMicroelectronics
УпаковкаTube
Упаковка / блокMax247-3
Ширина5.3 mm
Base Product NumberSTY60
Current - Continuous Drain (Id) 25В C60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
ECCNEAR99
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) Vgs266nC 10V
HTSUS8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) Vds7500pF 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature150В C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Power Dissipation (Max)560W (Tc)
Rds On (Max) Id, Vgs50mOhm 30A, 10V
REACH StatusREACH Unaffected
RoHS StatusROHS3 Compliant
Supplier Device PackageMAX247
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)В±30V
Vgs(th) (Max) Id5V 250ВµA
Вес, г4.99