Описание
Пэй
607 ₽
–58%
–200 ₽
С доставкой по клику
Заказ от 1500₽
Пэй
607 ₽
–58%
Доставка Маркета
9 окт, по клику 0 ₽
Москва
9 окт, пункт выдачи 0 ₽
Москва
Быстрый возврат
О возвратах
Электронные детали
Магазин
9.4Kзаказов
75подписчиков
3года на Маркете
О товаре
Описание
N-канал 68V 98A (Tc) 190W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Технические параметры
Base Product Number STP80 ->
Current - Continuous Drain (Id) 25В°C 98A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 68V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) Vgs 75nC 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) Vds 2550pF 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) Id, Vgs 9.8mOhm 40A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series STripFET
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) Id 4V 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) 25В°C 98A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 190W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 9.8mО 40A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 68V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V 250uA
кол-во в упаковке 50
FET Feature -
Manufacturer STMicroelectronics
Packaging Tube
Part Status Not For New Designs
Вес, г 2.52
Технические параметры
Base Product Number STP80 ->
Current - Continuous Drain (Id) 25В°C 98A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 68V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) Vgs 75nC 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) Vds 2550pF 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) Id, Vgs 9.8mOhm 40A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series STripFET
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) Id 4V 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) 25В°C 98A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 190W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 9.8mО 40A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 68V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V 250uA
кол-во в упаковке 50
FET Feature -
Manufacturer STMicroelectronics
Packaging Tube
Part Status Not For New Designs
Вес, г 2.52
Характеристики
Артикул Маркета
4312144661
Нет отзывов и оценок
Но можно задать вопрос, чтобы узнать о товаре больше
Рекомендуем
Цена с картой Яндекс Пэй 146 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 201 ₽ вместо
Пэй
Цена с картой Яндекс Пэй 246 ₽ вместо
Пэй
Цена с картой Яндекс Пэй 585 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 10506 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 365 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 644 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 187 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 945 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 598 ₽ вместо
Пэй
Войдите в аккаунтИ тогда откроется корзина, а цены на Маркете могут стать ниже
