Описание

Транзистор STF16N65M2

2 купили

Артикул Маркета

4593719990

Все характеристики

Пэй

928 ₽

–60%

–200 ₽

С доставкой по клику

Заказ от 1500₽

Транзистор STF16N65M2

2 купили

Задать вопрос

Пэй

928 ₽

–60%

Доставка Маркета

1 окт, по клику 0 ₽

Москва

1 окт, пункт выдачи 0 ₽

Москва

Быстрый возврат

О возвратах

Компоненты и Микросхемы

Магазин

4.8 1.3K оценок

30Kзаказов

134подписчика

4года на Маркете

Все 2 предложения

от 370 рублей

О товаре

Описание

STF16N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки 11 A
Pd - рассеивание мощности 25 W
Qg - заряд затвора 19.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 320 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 8.2 ns
Время спада 11.3 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STF16N65M2
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 36 ns
Типичное время задержки при включении 11.3 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 2.3