Описание

Транзистор STD4NK60ZT4

Артикул Маркета

4312156045

Все характеристики

Пэй

268 ₽

–21%

Осталась 1 шт

–200 ₽

С доставкой по клику

Заказ от 1500₽

Транзистор STD4NK60ZT4

Задать вопрос

Пэй

268 ₽

–21%

Доставка Маркета

7 окт, по клику 0 ₽

Москва

7 окт, пункт выдачи 0 ₽

Москва

Быстрый возврат

О возвратах

Электронные детали

Магазин

4.8 600 оценок

9.4Kзаказов

75подписчиков

3года на Маркете

Все 2 предложения

от 205 рублей

О товаре

Описание

Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4 А, 70 Вт
• Very low intrinsic capacitance
Технические параметры
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Process Technology
SuperMESH
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Continuous Drain Current (A)
4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
2000@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
18.8@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
18.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
510@25V
Maximum Power Dissipation (mW)
70000
Typical Fall Time (ns)
16.5
Typical Rise Time (ns)
9.5
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
29
Typical Turn-On Delay Time (ns)
12
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
2.4(Max)
Package Length
6.6(Max)
Package Width
6.2(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
70 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
9.5 ns
Время спада
16.5 ns
Высота
2.4 mm
Длина
6.6 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperMESH
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
3 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
STD4NK60ZT4
Технология
Si
Тип
MOSFET
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
29 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-252-3
Ширина
6.2 mm
Вес, г
0.58