Описание
Пэй
145 ₽
–34%
Пэй
145 ₽
–34%
Доставка Маркета
26 сен, по клику 0 ₽
Москва
26 сен, пункт выдачи 0 ₽
Москва
Быстрый возврат
О возвратах
Компоненты и Микросхемы
Магазин
29.9Kзаказов
133подписчика
4года на Маркете
О товаре
Описание
SI2302CDS-T1-GE3 - это N-канальный полевой МОП-транзистор TrenchFET® на 20 В, предназначенный для переключения нагрузки портативных устройств.
• Напряжение затвор-источник ± 8 В
Технические параметры
Transistor Mounting
Surface Mount
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Напряжение Измерения Rds(on)
2.5В
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
2.9А
Полярность Транзистора
N Channel
Пороговое Напряжение Vgs
850мВ
Рассеиваемая Мощность
710мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.045Ом
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236
Вес, г
0.05
• Напряжение затвор-источник ± 8 В
Технические параметры
Transistor Mounting
Surface Mount
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Напряжение Измерения Rds(on)
2.5В
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
2.9А
Полярность Транзистора
N Channel
Пороговое Напряжение Vgs
850мВ
Рассеиваемая Мощность
710мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.045Ом
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236
Вес, г
0.05
Характеристики
Артикул Маркета
4593728547
Нет отзывов и оценок
Но можно задать вопрос, чтобы узнать о товаре больше
Рекомендуем
Войдите в аккаунтИ тогда откроется корзина, а цены на Маркете могут стать ниже
