Транзистор КТ835А

Артикул Маркета

4495866734

Все характеристики

Пэй

357 ₽

–54%

Транзистор КТ835А

Задать вопрос

Пэй

357 ₽

–54%

Доставка Маркета

4 окт, по клику 0 ₽

Москва

4 окт, пункт выдачи 0 ₽

Москва

Быстрый возврат

О возвратах

RADIOSFERA

Магазин

4.8 3.5K оценок

64.2Kзаказов

516подписчиков

5лет на Маркете

Все 3 предложения

от 157 рублей

О товаре

Описание

Транзисторы КТ835А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ835А:
Структура транзистора: p-n-p;
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (30В);
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ;
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,35 Ом.
Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ835А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 35 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.