Описание
Пэй
271 ₽
–37%
Пэй
271 ₽
–37%
Доставка Маркета
30 сен, по клику 0 ₽
Москва
30 сен, пункт выдачи 0 ₽
Москва
Быстрый возврат
О возвратах
Электронные детали
Магазин
9.3Kзаказов
75подписчиков
3года на Маркете
О товаре
Описание
Наименование прибора: IRF830
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Выходная емкость (Cd): 800 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Выходная емкость (Cd): 800 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Характеристики
Артикул Маркета
4312147672
Рекомендуем
Войдите в аккаунтИ тогда откроется корзина, а цены на Маркете могут стать ниже
