Описание

Транзистор IRF7389TRPBF

Артикул Маркета

4593733936

Напряжение

30 в

Все характеристики

Пэй

213 ₽

–33%

Транзистор IRF7389TRPBF

Задать вопрос

Пэй

213 ₽

–33%

Доставка Маркета

1 окт, по клику 0 ₽

Москва

1 окт, пункт выдачи 0 ₽

Москва

Быстрый возврат

О возвратах

Компоненты и Микросхемы

Магазин

4.8 1.3K оценок

30Kзаказов

134подписчика

4года на Маркете

О товаре

Описание

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,3 А, 7,3 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
8.1 ns, 13 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
26 ns, 34 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
46 mΩ, 98 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
650 pF@ 25 V, 710 pF@ -25 V
Тип канала
N, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.15