Описание

Транзистор FDD6685

Name: Транзистор FDD6685
Brand: Без бренда
SKU: 4593746455
Price: 199 RUB
Availability: InStock

Артикул Маркета

4593746455

Напряжение

25 В

Все характеристики

Пэй

251 ₽

–21%

Транзистор FDD6685

Задать вопрос

Пэй

251 ₽

–21%

Доставка Маркета

8 окт, по клику 0 ₽

Москва

8 окт, пункт выдачи 0 ₽

Москва

Быстрый возврат

О возвратах

Компоненты и Микросхемы

Магазин

4.8 1.3K оценок

30.1Kзаказов

134подписчика

4года на Маркете

О товаре

Описание

Semiconductors
• Быстрое переключение
• Напряжение затвор-исток ± 20 В
• Высокая мощность и способность выдерживать ток
• Соответствует AEC-Q101
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
43 нс
Серия
PowerTrench
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
30 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1715 pF @ -15 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Id - непрерывный ток утечки
40 A
Pd - рассеивание мощности
52 W
Qg - заряд затвора
24 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
11 ns
Время спада
21 ns
Другие названия товара №
FDD6685_NL
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
PowerTrench
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
26 S
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
P-Channel
Размер фабричной упаковки
2500
Технология
Si
Тип
MOSFET
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки при включении
17 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
TO-252-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
11A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
52W
Rds On - Drain-Source Resistance
20mО© @ 11A,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 250uA
Вес, г
0.5