Описание
Spin manipulation using semimagnetic heterostructures
Артикул Маркета
6045533427
Внешний вид товаров и/или упаковки может быть изменён изготовителем и отличаться от изображенных на Яндекс Маркете.
Пэй
2 113 ₽
–49%
–10 %
Промокод SEPT10C
Пэй
2 113 ₽
–49%
Доставка Маркета
23 сен, по клику 0 ₽
Москва
23 сен, пункт выдачи 0 ₽
Москва
Быстрый возврат
О возвратах
Т8 Издательские Технологии
Магазин
18.9Kзаказов
584подписчика
6лет на Маркете
О товаре
Описание
Печатная книга «Spin manipulation using semimagnetic heterostructures» в мягкой обложке, язык - английский. В книге 116 страниц, она напечатана на белой офсетной бумаге плотностью 80 г/м². Формат издания — 170x244 мм. Все книги аккуратно упаковываем в прочный трехслойный сейф-пакет.
In pursuit of a novel generation of devices, exploration of spin properties of
the particles is needed. Spintronics is a modern field in physics which exploits
spin properties to be used in addition to the charge degree of freedom. Since
the conductivity mismatch problem presents a fundamental obstacle for
electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semiconductor,
other means for injecting spin-polarized carriers must be used. With a
tunnel contact, it is possible to achieve a highly spin-polarized room-temperature
tunnel injection. Here we describe a novel approach of applying magnetic
resonant tunneling diodes for spin manipulation. In this work, growth
and properties of all-II-VI magnetic resonant tunneling diodes, as applied to
spintronics, are reported.
In pursuit of a novel generation of devices, exploration of spin properties of
the particles is needed. Spintronics is a modern field in physics which exploits
spin properties to be used in addition to the charge degree of freedom. Since
the conductivity mismatch problem presents a fundamental obstacle for
electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semiconductor,
other means for injecting spin-polarized carriers must be used. With a
tunnel contact, it is possible to achieve a highly spin-polarized room-temperature
tunnel injection. Here we describe a novel approach of applying magnetic
resonant tunneling diodes for spin manipulation. In this work, growth
and properties of all-II-VI magnetic resonant tunneling diodes, as applied to
spintronics, are reported.
Характеристики
Артикул Маркета
6045533427
Внешний вид товаров и/или упаковки может быть изменён изготовителем и отличаться от изображенных на Яндекс Маркете.Возрастное ограничение 18+
Нет отзывов и оценок
Но можно задать вопрос, чтобы узнать о товаре больше
Рекомендуем
Войдите в аккаунтИ тогда откроется корзина, а цены на Маркете могут стать ниже
