Описание
Пэй
916 ₽
–60%
–200 ₽
С доставкой по клику
Заказ от 1500₽
Пэй
916 ₽
–60%
Доставка Маркета
15 – 16 окт, по клику 0 ₽
Москва
15 окт, пункт выдачи 0 ₽
Москва
Быстрый возврат
О возвратах
ООО "Электроника" Томск
Магазин
2.7Kзаказов
17подписчиков
3года на Маркете
О товаре
Описание
IGBT Silicon N Channel 630V 35A VCE(sat) = 1.9 V 25W t=150C
Наименование: RJP63K2DPE
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 630
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 35
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Время нарастания типовое (tr), nS: 200
Наименование: RJP63K2DPE
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 630
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 35
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Время нарастания типовое (tr), nS: 200
Характеристики
Общие характеристики
Артикул Маркета
103497579156
Документы и сертификаты
Нет отзывов и оценок
Но можно задать вопрос, чтобы узнать о товаре больше
Рекомендуем
Цена с картой Яндекс Пэй 146 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 201 ₽ вместо
Пэй
Цена с картой Яндекс Пэй 246 ₽ вместо
Пэй
Цена с картой Яндекс Пэй 585 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 10577 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 365 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 644 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 187 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 945 ₽ вместо
Пэй
Из-за рубежа
Цена с картой Яндекс Пэй 598 ₽ вместо
Пэй
Войдите в аккаунтИ тогда откроется корзина, а цены на Маркете могут стать ниже
