КТ825Г новый протестированный

Транзистор КТ825Г (2Т825А), 20 (40)А, 90В, 125Вт, Ку 750-18000, КТ-9 (ТО-3), PNP, 1 штука в упаковке. Транзисторы КТ825Г кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).

Масса транзистора не более 20,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.

Категория качества: «ОТК».

Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.306ТУ.

Импортный аналог: 2N6051, 2N605, 2N6286, 2N6287, 2SB650H, BDX62A, BDX64A, BDX66A, BDX86B, BDX88B, MJ2501, MJ4031, MJ4032.

Основные технические характеристики транзистора КТ825Г:

Структура транзистора: p-n-p;

Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;

fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;

Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;

Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;

h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750.18000;

Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ;

Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ825Г

К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;

Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;

8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;

25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;

Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.