2Т825А протестированный

Военная версия кт825г

Транзисторы 2Т825А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные.

Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения .

Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).

Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора: - в металлическом корпусе не более 20,0 г, - кристалла не более 0,025 г.

Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.054ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.054ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т825А:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 500.18000;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.